電子・物理工学サブプログラム

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発光素子を目指す Fe-Si環境半導体MBE成長装置

発光素子を目指すFe-Si環境半導体MBE成長装置

科学技術の進歩は私たちの生活に計り知れない恩恵をもたらしましたが、物理学はその中で先導的な役割を果たしてきたことは周知の通りです。 先端技術の研究には、しばしば物理学の基本に立ち返った研究が必要になりますし、またそれは物理学そのものの発展に大きく寄与するものにもなります。

三次元高侵達光コヒーレンストモグラフィー で撮影された生きた人の眼底

三次元高侵達光コヒーレンストモグラフィーで撮影された生きた人の眼底

応用物理工学学位プログラム 電子・物理工学サブプログラムは基礎科学としての物理学とその応用を扱う工学の接点において両者にわたる研究分野をカバーしています。 基盤となる研究グループは光学、光エレクトロニクス、計測・数理工学、量子ビーム、プラズマ工学や半導体電子工学、ナノサイエンス、ナノテクノロジー、 光・電子デバイス、磁性工学など現代科学技術において重要な役割を果たしていて、広い範囲にわたっています。本サブプログラムでは物理学の知識と方法を持って工学 の研究を行うことのできる、幅広い視野と柔軟な思考力を持った研究者・技術者の育成をめざしています。

前期課程修了要件

  1. 単位：数理物質科学コロキウム、および電子・物理工学各分野の特別研究を必修とし、30単位以上を取得する。
  2. 修士論文の審査：1の必要単位を取得した後に修士論文を提出し、最終試験に合格すれば修士(工学)の学位が授与される。修士論文の審査は前期課程2年次末に実施することを標準とするが、優れた研究業績を上げたと認められた者は、2年未満に修士論文の審査を受けることができる。

後期課程修了要件

  1. 予備審査：後期課程3年次に博士論文の要旨を電子・物理工学サブプログラムの長に提出し、正式に論文を提出(本審査〉してよいかを判定する。
  2. 博士論文審査：博士論文を提出し論文審査および最終試験に合格すれば博士(工学)の学位が授与される。博士論文の審査は後期課程3年次に実施することを標準とするが、優れた研究業績を上げたと認められた者は、後期課程1年以上経過後に博士の学位を取得することも可能である。

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